تراشه های NAND به رکورد ۱۰۰ میلیون عملیات در ثانیه میرسد
شرکت SK hynix با تلاش مضاعف در زمینه تولید تراشه های NAND نسل بعدی، به رکورد ۱۰۰ میلیون عملیات در ثانیه در سال ۲۰۲۷ خواهد رسید. طبق گزارش ZDNet، این شرکت با همکاری NVIDIA در حال ساخت تراشه های NAND فوق سریع با تمرکز بر هوش مصنوعی است که تا ۳۰ برابر عملکرد SSDهای تجاری امروزی را ارائه دهند. نمونه های اولیه این تراشه ها برای اواخر سال ۲۰۲۶ برنامه ریزی شده اند و تولید انبوه نسل دوم در اواخر سال ۲۰۲۷ آغاز خواهد شد.
بخش مهمی از این تلاش ها، معماری SSDهای با کارایی بالا AI-N P است که هدف آن حذف گردن های I/O در بارهای کاری بزرگ هوش مصنوعی است. گزارش ZDNet حاکی از آن است که تراشه های NAND و کنترل گر بازطراحی شده در مرحله آزمایش مفهوم (PoC) با NVIDIA قرار دارند. SK hynix هدف خود را ۲۵ میلیون عملیات در ثانیه (IOPS) بر روی PCIe Gen 6 برای نمونه های اولیه سال آینده و ۱۰۰ میلیون IOPS برای نسخه تولیدی در سال ۲۰۲۷ قرار داده است. برای مقایسه، SSDهای تجاری امروزی حدود ۲-۳ میلیون IOPS (مدل های ) را مدیریت می کنند.
این نقشه راه همچنین شامل AI-N B، معروف به HBF (High Bandwidth Flash)، است که با همکاری Sandisk توسعه یافته است. یک مشخصات آلفا در اوایل سال ۲۰۲۶ انتظار می رود و واحدهای ارزیابی در سال ۲۰۲۷ در دسترس خواهند بود. پشت این تلاش ها، یک استراتژی گسترده تر آغاز به آشکار شدن می کند، با تراشه های AI-NAND نسل بعدی SK hynix که به سه دسته تقسیم می شوند: AI-N P (SSD با کارایی بالا) برای کارایی، AI-N B (High Bandwidth Flash) برای پهنای باند، و AI-N D (SSD با ظرفیت بالا و هزینه پایین) برای طراحی های با ظرفیت بالاتر و هزینه پایین تر.
ZDNet اضافه می کند که SK hynix بازار هوش مصنوعی را به دو جبهه متمایز تقسیم می کند: استقرارهای بزرگ مرکز داده که نیاز به داده دارند و هوش مصنوعی روی دستگاه که طرفداران کارایی پایین هستند. SK hynix خط تولید AI-N خود را برای خدمت به هر دو با نسل AI-N P در سال ۲۰۲۶ قرار داده است که حدود ۸-۱۰ برابر کارایی SSDهای فعلی را ارائه خواهد داد.
تاریخچه تراشه های NAND
تراشه های NAND از سال های دهه ۱۹۹۰ در حال توسعه بوده اند. در آن زمان، این تراشه ها به عنوان یک جایگزین برای حافظه های فلش موجود معرفی شدند. با گذشت زمان، تراشه های NAND به طور قابل توجهی بهبود یافتند و امروزه به عنوان یک جزء مهم در سیستم های ذخیره سازی داده ها به کار می روند.
تراشه های NAND به دو دسته اصلی تقسیم می شوند: SLC (Single-Level Cell) و MLC (Multi-Level Cell). تراشه های SLC از یک سلول برای ذخیره سازی هر بیت داده استفاده می کنند، در حالی که تراشه های MLC از چندین سلول برای ذخیره سازی چندین بیت داده استفاده می کنند. تراشه های MLC پهنای باند بیشتری را ارائه می دهند، اما کارایی آنها نسبت به تراشه های SLC پایین تر است.
تراشه های NAND امروزه در انواع مختلفی از دستگاه ها استفاده می شوند، از جمله SSDها، کارت های حافظه، و دستگاه های ذخیره سازی داده های . با بهبود فناوری های تولید، تراشه های NAND به طور قابل توجهی ارزان تر و کارآمدتر شده اند.
رقبا
SK hynix یکی از رقبای اصلی در بازار تراشه های NAND است. سایر رقبای مهم در این بازار عبارتند از: Samsung، Micron، و Western Digital. این شرکت ها به طور مداوم در حال توسعه و بهبود تراشه های NAND خود هستند تا بتوانند از نظر کارایی و پهنای باند رقبای خود را پشت سر بگذارند.
Samsung یکی از پیشگامان در توسعه تراشه های NAND است و به طور مداوم در حال بهبود فناوری های خود است. Micron نیز یکی از رقبای مهم در این بازار است و به طور فعال در حال توسعه تراشه های NAND با کارایی بالا است. Western Digital نیز یکی از رقبای اصلی در بازار تراشه های NAND است و به طور مداوم در حال بهبود فناوری های خود است.
مشخصات فنی
تراشه های NAND امروزه به طور قابل توجهی بهبود یافته اند و ویژگی های فنی آنها نیز به طور قابل توجهی ارتقا یافته است. تراشه های NAND جدید از فناوری های تولید پیشرفته استفاده می کنند تا بتوانند کارایی و پهنای باند بیشتری را ارائه دهند.
تراشه های NAND جدید از فناوری های مانند ۳D NAND و QLC (Quad-Level Cell) استفاده می کنند تا بتوانند کارایی و پهنای باند بیشتری را ارائه دهند. فناوری ۳D NAND به تراشه های NAND اجازه می دهد تا سلول های حافظه را در چندین لایه قرار دهند، که باعث افزایش پهنای باند و کارایی می شود. فناوری QLC نیز به تراشه های NAND اجازه می دهد تا چهار سطح مختلف ولتاژ را در هر سلول حافظه ذخیره کنند، که باعث افزایش کارایی و پهنای باند می شود.
تراشه های NAND جدید همچنین از فناوری های مانند PCIe Gen 4 و NVMe استفاده می کنند تا بتوانند کارایی و پهنای باند بیشتری را ارائه دهند. فناوری PCIe Gen 4 به تراشه های NAND اجازه می دهد تا داده ها را با سرعت بالاتر انتقال دهند، در حالی که فناوری NVMe به تراشه های NAND اجازه می دهد تا داده ها را با کارایی بالاتر پردازش کنند.
با توجه به پیشرفت های قابل توجه در فناوری های تولید و مشخصات فنی تراشه های NAND، انتظار می رود که این تراشه ها به طور قابل توجهی در سال های آینده بهبود یابند و کارایی و پهنای باند بیشتری را ارائه دهند.
در سال های اخیر، تراشه های NAND به عنوان یک جزء مهم در سیستم های ذخیره سازی داده ها به کار می روند و انتظار می رود که این روند در سال های آینده ادامه یابد. با بهبود فناوری های تولید و مشخصات فنی تراشه های NAND، انتظار می رود که این تراشه ها به طور قابل توجهی در سال های آینده بهبود یابند و کارایی و پهنای باند بیشتری را ارائه دهند.
برای مثال، در مقاله تراشه های ۴nm در ژاپن؛ TMSC بررسی ارتقای کارخانه دوم را آغاز کرد، به بررسی تراشه های ۴nm در ژاپن و بررسی ارتقای کارخانه دوم توسط TMSC پرداخته شده است.
همچنین، در مقاله بررسی اورکلاکینگ مادربرد ASRock X870E Taichi: فرمول مناسب برای اورکلاکینگ شدید AMD، به بررسی اورکلاکینگ مادربرد ASRock X870E Taichi و فرمول مناسب برای اورکلاکینگ شدید AMD پرداخته شده است.
در نهایت، انتظار می رود که تراشه های NAND به طور قابل توجهی در سال های آینده بهبود یابند و کارایی و پهنای باند بیشتری را ارائه دهند. با توجه به پیشرفت های قابل توجه در فناوری های تولید و مشخصات فنی تراشه های NAND، انتظار می رود که این تراشه ها به طور قابل توجهی در سال های آینده بهبود یابند و کارایی و پهنای باند بیشتری را ارائه دهند.
منبع اصلی: TechPowerUp



